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M-RES
2000
Das berührungslose Widerstandsmesssystem
für alle Anwendungen in der Halbleiterfertigung auf Silizium-
oder Verbundmaterial-Anwendungen. Die M-RES 2000 Widerstandsmesssysteme
werden typisch in einer Ausführung mit zwei Sensorsystemen
für einen Messbereich von über 6 Dekaden geliefert.
Dabei wird der Messbereich auf die jeweilige Anwendung werksseitig
für die Messung von Widerständen zwischen 50 µOhm/sq
und über 100 kOhm/sq eingestellt. Das M-RES 2000 berührungslose
Widerstandsmesssystem ist zur Messung von Widerstanden bis zu
500 kOhm/sq lieferbar. In verschiedenen Ausführungen stehen
Messsysteme mit ausschließlich manueller Betätigung,
Messsysteme mit semi-automatischen Betrieb und Mapping-Funktion
sowie vollautomatische Messsystem mit integriertem Wafer-Handling
zur Verfügung. Das M-RES 2000 ist dabei geeignet Wafer
von 2" bis 300mm Durchmesser zu messen.
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Die berührungslosen Widerstandsmesssysteme
der Modellreihe M-RES 2000 enthalten zusätzlich eine
berührungslose Messung der Waferdicke. Diese Messung
erfolgt gemeinsam mit der Widerstandsmessung, nahezu ortsgleich.
Sie wird u.a. verwendet, um direkt Messwerte für den
spezifischen Widerstand der Messprobe zu errechnen. Außerdem
werden die Daten der Waferdicke verwendet, um die automatische
Korrektur der Messergebnisse, bezogen auf die Waferdicke
vorzunehmen. Die Messsysteme der Modellreihe M-RES 2000
lassen sich daher für die Messung an Wafern unterschiedlicher
Dicke verwenden, ohne für jede Waferdicke speziell
kalibriert werden zu müssen. Als weitere automatische
Korrekturen der Messwerte ist eine Temperaturmessung integriert,
die die Probentemperatur bei der Messung erfasst. Die ebenfalls
verfügbare, berührungslose Bestimmung des Leitungstyps
runden die Maßnahmen zu automatischen Korrektur der
berührungslosen Widerstandsmessung mit den Messsystemen
der Modellreihe M-RES 2000 ab.
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